特許

J-GLOBAL ID：200903015657523979

半導体デバイスのシリサイド形成方法

発明者： ラマヌジャプラム エー. スリニヴァス ,  ブライアン メッツガー ,  スゥリン ワン ,  フレデリック シー. ウー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-191709
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203171
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、シリコン基板に接触するシリサイド層を形成するための方法を与える。【解決手段】 本方法は、Si基板上にメタル含有層を形成するステップと、メタル含有層を、Si基板とは別の珪素含有ソースに曝露するステップとを有している。メタル含有層は、珪素含有ソースと反応し、珪素含有ソースを主な出所とするシリコンを有するメタルシリサイド層を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に接触するシリサイド層を形成する方法であって、(a)シリコン基板に接触してメタル含有層を形成するステップと、(b)シリコン基板とは別の珪素含有ソースに該メタル含有層を曝露するステップと、(c)該メタル含有層を該珪素含有ソースと反応させて、メタルシリサイド層を形成するステップとを有し、該メタルシリサイド層が、該珪素含有ソースから本質的に由来する珪素により形成される方法。

IPC (7件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 P