特許
J-GLOBAL ID:200903015662638008

ポジ型レジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-274089
公開番号(公開出願番号):特開2005-037656
出願日: 2003年07月14日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
【課題】 半導体デバイスの製造において、活性光線または放射線、特にArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、感度、解像力、エッチング耐性などのレジスト諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(a)側鎖にシリコン原子を有し、かつアルカリ水溶液に不溶性又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマー、及び(b)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する下記一般式(I)又は(II)で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(a)側鎖にシリコン原子を有し、かつアルカリ水溶液に不溶性又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマー、及び(b)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する下記一般式(I)又は(II)で表される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027
FI (4件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R
Fターム (13件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 特公平7-99435号
  • 米国特許5856071号
  • 欧州特許第494383号
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