特許

J-GLOBAL ID：200903015665079379

半導体応力検出装置

発明者： 花村 昭宏 ,  室 英夫
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-087650
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：

【要約】【目的】 温度依存性が小さく、特別な補償回路を必要としない半導体応力検出装置を提供する。【構成】 印加応力に垂直に形成されたp型多結晶Siピエゾ抵抗とn型多結晶Siピエゾ抵抗とでは、印加応力に対する抵抗変化方向が逆符号であり、かつ感度の温度依存性は逆符号で逆極性の特性を示すことを利用したものであり、印加応力に垂直方向にとなるようにp型多結晶Siピエゾ抵抗51、52とn型多結晶Siピエゾ抵抗61、62とを形成し、上記p型多結晶Siピエゾ抵抗同志(51と52)を一対の対辺とし、上記n型多結晶Siピエゾ抵抗同志(61と62)を他の一対の対辺としてフルブリッジ回路を構成した。

請求項（抜粋）：

外部物理量の印加に応じて応力が発生する構造部上に、当該抵抗に流れる電流の方向が印加される応力に垂直方向となるように配設されたp型多結晶Siピエゾ抵抗とn型多結晶Siピエゾ抵抗とをそれぞれ複数個形成し、上記p型多結晶Siピエゾ抵抗同志を一対の対辺とし、上記n型多結晶Siピエゾ抵抗同志を他の一対の対辺としてブリッジ回路を構成したことを特徴とする半導体応力検出装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-137532
  
• 特開平3-162641
  
• 特開昭62-274229