特許
J-GLOBAL ID：200903015665667831
接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089099
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282595
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 接合型電界効果トランジスタの小型化の妨げとなっていたチャネル溝の角部などにおける電界集中の問題を解消する。【解決手段】 接合型電界効果トランジスタは、略平行な複数の直線状のチャネル溝11と、1本ごとに交互に設定されたソース拡散層27およびドレイン拡散層28と、これら各々の上側に配置されたソース取出し電極31、ドレイン取出し電極32と、絶縁層としての酸化膜21と、平面的に見たときにチャネル溝11に交差するようにチャネル溝11上方に配置され、ソース取出し電極31の各々と電気的に接続され、ドレイン取出し電極32の各々とは絶縁されたソースパッド電極25と、同様にドレイン取出し電極32の各々と電気的に接続され、ソース取出し電極31の各々とは絶縁されたドレインパッド電極26とを備える。
請求項（抜粋）：
第1導電型不純物を含む半導体基材と、前記半導体基材の上側に接して形成され、第2導電型不純物を含むチャネル層と、前記チャネル層内に底面を有し、略平行な複数の直線状のチャネル溝と、前記チャネル層の上側に前記チャネル溝を挟んで互いに略平行な直線状に突出するようにそれぞれ形成された線状突出部分であって、前記チャネル層の第2導電型不純物の濃度より高い濃度で第2導電型不純物をそれぞれ含み、1本ごとに交互に設定されたソース領域層およびドレイン領域層と、前記ソース領域層の上側に配置されたソース取出し電極と、前記ドレイン領域層の上側に配置されたドレイン取出し電極と、前記ソース領域層および前記ソース取出し電極を含む部分と前記ドレイン領域層および前記ドレイン取出し電極を含む部分との間を電気的に隔てるように前記チャネル溝の内部および上側に配置された絶縁層と、平面的に見たときに前記チャネル溝に交差するように前記チャネル溝の上方に配置され、前記ソース取出し電極の各々と電気的に接続され、前記ドレイン取出し電極の各々とは絶縁されたソースパッド電極と、平面的に見たときに前記チャネル溝に交差するように前記チャネル溝の上方に配置され、前記ドレイン取出し電極の各々と電気的に接続され、前記ソース取出し電極の各々とは絶縁されたドレインパッド電極とを備える接合型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/337
, H01L 29/808
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC10
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GV03
, 5F102HC01
, 5F102HC16
