特許
J-GLOBAL ID：200903015669201543
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-184825
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029805
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の動作停止時に、入力端子の電圧レベルが中間電位となった場合に入力インバータで発生する貫通電流によって消費電流が増加することを防止する。【構成】 半導体装置の入力端子部に中間電圧を感知して電圧レベルを電源電圧に固定するために、低電位検出回路3、高電位検出回路4、スイッチ付プルアップ抵抗としてのプルアップ用Pチャンネルトランジスタ5および入力信号レベルを検出した結果をプルアップ用Pチャンネルトランジスタ5に保持させるためのラッチ6を設ける。また入力端子部に外部より固定電位と逆電位が印加された場合、これら回路3〜6により電位固定を解除できる機構にする。
請求項（抜粋）：
相互補完型MOS半導体装置内の入力端子部に、入力信号が電源電位レベルに近いことを検出する高電位検出回路と、入力信号が接地電位レベルに近いことを検出する低電位検出回路と、これら高電位および低電位検出回路により入力信号が中間電位レベルであることを検出したときに、入力端子信号線の電位を電源電位に固定するためのスイッチ付きプルアップ抵抗とを具備した半導体装置。
IPC (2件)：
H03K 17/16
, H03K 19/0948
