流体センサ及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：古谷聡 , 溝部孝彦 , 西山清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-081091
公開番号（公開出願番号）：特開2005-283578
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】ナノスケール流体センサを製造するための効率的な方法の提供【解決手段】周囲温度を有する環境において用いるための流体センサであって、その流体センサが、機能化された半導体ナノワイヤを含む電界効果トランジスタ(FET)(15)と、電界効果トランジスタに近接して配置され、電界効果トランジスタを周囲温度よりも高い温度まで加熱するための一体型ヒータ(110)と、電界効果トランジスタを高い温度に維持するために配置された一体型断熱材(30)とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

周囲温度を有する環境において用いるための流体センサであって、その流体センサが、 a)機能化された半導体ナノワイヤを含む電界効果トランジスタ(FET)と、 b)前記電界効果トランジスタに近接して配置され、前記電界効果トランジスタを前記周囲温度よりも高い温度まで加熱するための一体型ヒータと、及び c)前記電界効果トランジスタを前記高い温度に維持するために配置された一体型断熱材とを含む、流体センサ。

IPC (7件)：

G01N27/00 , G01N27/04 , G01N27/06 , G01N27/12 , G01N27/22 , H01L29/06 , H01L29/786

FI (10件)：

G01N27/00 J , G01N27/04 Z , G01N27/06 A , G01N27/12 N , G01N27/22 A , G01N27/22 B , H01L29/06 601N , H01L29/78 625 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617J

Fターム (80件)：

2G046AA01 , 2G046AA30 , 2G046BA06 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BE03 , 2G046BJ02 , 2G046DB04 , 2G046DB05 , 2G046DC02 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA08 , 2G046EA11 , 2G046FA02 , 2G046FB01 , 2G046FE00 , 2G046FE02 , 2G046FE09 , 2G046FE12 , 2G046FE16 , 2G046FE25 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE33 , 2G046FE35 , 2G046FE39 , 2G046FE44 , 2G046FE46 , 2G046FE48 , 2G060AA01 , 2G060AA05 , 2G060AE16 , 2G060AE40 , 2G060AF07 , 2G060AF10 , 2G060AG01 , 2G060AG04 , 2G060AG15 , 2G060BA07 , 2G060BB03 , 2G060BB09 , 2G060BB18 , 2G060BD02 , 2G060DA02 , 2G060DA13 , 2G060DA14 , 2G060DA28 , 2G060DA31 , 2G060DA33 , 2G060HB05 , 2G060HB06 , 2G060HC06 , 2G060HC18 , 2G060HD03 , 2G060JA01 , 2G060JA06 , 2G060KA01 , 2G060KA05 , 5F110AA09 , 5F110AA30 , 5F110BB09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE24 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG11 , 5F110GG12 , 5F110NN71 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願第10/423,063号

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