特許
J-GLOBAL ID：200903015676680570

パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
山本 智彦

山本 智彦 について

, 
浅井 了

浅井 了 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-050730
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004917
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】レベンソン型位相シフトマスクのように製造プロセスが煩雑で製造コストの高いフォトマスクを用いることなく、しかも十分な製造プロセスマージンで微細パターンを精度良く形成する。【解決手段】レベンソン型位相シフトマスクでない通常のクロムマスク又はハーフトーン位相シフトマスク等の一対のフォトマスク1,2を用いて2重露光を行い、フォトレジストにパターン転写する。ここで、より微細なパターンを形成するためのフォトマスク2で露光する際に、2重極照明を照明系として用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のフォトマスクを用いて第1のマスクパターンを被転写体に露光する第1のステップと、 第2のフォトマスクを用いて第2のマスクパターンを、少なくとも一部が前記第1のマスクパターンと重畳されるように前記被転写体に露光する第2のステップと を含み、 前記第1のステップ及び前記第2のステップの少なくとも一方において、2重極照明を用いて露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (2件)：
H01L21/30 514A ,  G03F7/20 521
Fターム (3件)：
5F046AA13 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • リソグラフィー方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-297013   出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ
審査官引用 (3件)

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