特許
J-GLOBAL ID：200903015676786190
炭化珪素薄層の受け取り基板への最適移載方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐藤 正年
, 佐藤 年哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-562980
公開番号（公開出願番号）：特表2005-516392
出願日： 2003年01月21日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
本発明は、原材料基板(1)から派生した単結晶炭化珪素薄層(100)を受け取り基板(4)へ移載する方法に関し、この方法は、原材料基板の前面に主にH+イオンによる衝撃を与えて脆化領域(5)を形成する工程と、脆化領域(5)に沿って薄層(100)を原材料基板(1)の残余部分(10)から分離する工程とを含み、注入量DをH+イオン数/cm2で表し、keVで表した注入エネルギーEを95keV以上とするとき、下記の不等式 [(E×1・1014+5・1016)/1.1]≦D≦[(E×1・1014+5・1016)/0.9]に従ってH+イオンの注入を実行することと、結合工程の後に受け取り基板(4)へ移載されていない原材料基板(1)における薄層(100)の領域(12)を完全又は殆ど完全に剥離するに充分なサーマルバジェットを付与することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
同一材料の原材料基板(1)から派生した単結晶炭化珪素薄層(100)を受け取り基板(4)へ移載する方法であって、原材料基板(1)の残余部分(10)の再利用を図るために、以下の工程、即ち、
原材料基板(1)の前面である平坦面(2)に主にH+イオンによって注入エネルギーE及び注入量Dの衝撃を与えて該イオンの平均注入深さp近傍の深さ位置に前記薄層(100)と前記基板(1)の残余部分(10)との間の境界を形成する脆化領域(5)を形成する工程と、
前記受け取り基板(4)を前記前面(2)に結合させる工程と、
前記脆化領域(5)に沿って前記薄層(100)を前記原材料基板(1)の残余部分(10)から分離する工程とを含む方法において、
前記脆化領域(5)を最適化された様式で脆化するため、注入量DをH+イオン数/cm2の単位で表し、keVで表した注入エネルギーEを95keV以上とするとき、下記の不等式
[(E×1・1014+5・1016)/1.1] ≦ D ≦ [(E×1・1014+5・1016)/0.9]
に従ってH+イオンの注入を実行し、且つ、
結合工程の後に、前記受け取り基板(4)へ移載されていない原材料基板(1)における薄層(100)の領域(12)を完全又は殆ど完全に剥離するに充分なサーマルバジェットを付与することを特徴とする炭化珪素薄層の受け取り基板への最適移載方法。
IPC (3件)：
H01L21/02
, H01L21/265
, H01L27/12
H01L21/02 B
, H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
