特許

J-GLOBAL ID：200903015680154450

半導体装置

発明者： 黒崎 徹 ,  宍戸 寛明 ,  北田 瑞枝 ,  九里 伸治 ,  大島 宏介
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-190017
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039655
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】溝内に均一に半導体充填物が充填された半導体装置を提供する。【解決手段】細長の活性溝221〜224の両端を、活性溝221〜224を取り囲む内周溝30に接続する。活性溝221〜224の両端部分の半導体充填物25の成長速度が中央部分の成長速度と等しくなり、活性溝221〜224内が均一高さの半導体充填物25で充填された半導体装置1が得られる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層上に第1導電型の低濃度層が形成された半導体基板と、 前記半導体基板の前記低濃度層側の表面に形成され、底部が前記低濃度層内に位置する溝であって、細長の複数の活性溝と、前記活性溝を取り囲むリング状の内周溝と、 前記各活性溝の内部と前記内周溝の内部に配置された第2導電型の半導体充填物とを有する半導体装置であって、 前記各活性溝の両端は前記内周溝に接続された半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (8件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/48 F

Fターム (8件)：

4M104BB01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD43 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH18