特許

J-GLOBAL ID：200903015684892609

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 梅原 慎二郎 ,  芦田 裕 ,  佐藤 雅重 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-080311
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261592
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】高集積化が可能であるとともに、固定磁化層からの漏洩磁界のばらつきによる誤書き込みや誤読み出しを抑制しうる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の強磁性層50と、第1の強磁性層50上に形成された非磁性層52と、非磁性層52上に形成された第2の強磁性層54と、第2の強磁性層54の側壁部分に形成された側壁絶縁膜64とを有し、第1の強磁性層50の端部は、側壁絶縁膜64の端部に整合している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層と、 前記第1の強磁性層上に形成された非磁性層と、 前記非磁性層上に形成された第2の強磁性層と、 前記第2の強磁性層の側壁部分に形成された側壁絶縁膜とを有し、 前記第1の強磁性層の端部は、前記側壁絶縁膜の端部に整合している ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G01R 33/09

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  H01F10/12 ,  H01F10/26 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R

Fターム (19件)：

2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5E049BA23 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5E049JC05 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR10 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40