特許

J-GLOBAL ID：200903015685052795

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027056
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223685
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 大口径の被処理基板に対し、均一性よくプラズマ処理を施すことが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 被処理基板1の垂直延長線上すなわち直上に排気孔6を設けたプラズマ処理装置を採用し、この排気孔から排気ガスを除去しながらプラズマ処理を施す。【効果】 処理ガスが被処理基板1中央部まで均一にゆきわたり、また被処理基板1中央部に滞留する排気ガスも均一に排気される。したがって、被処理基板1の全領域で均一なプラズマ処理が可能となる。

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内に配設された被処理基板に対し、所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記被処理基板主面の垂直延長線上のいずれか少なくとも1個所に排気孔を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 C ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-280628
  
• 特開昭61-174388
  
• 特開昭62-193129
  
• 特開昭57-017134