特許
J-GLOBAL ID：200903015685515108
基板のニッケル面の前処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041985
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235692
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 ニッケルメッキ膜が形成された基板1に他のメッキを施す前に、基板1のニッケルメッキの最表面の酸化膜を容易に除去する基板のニッケル面の前処理方法を提供する。【解決手段】 ニッケルメッキ膜が形成された基板1を、水素ガスの気泡が散気した水酸化カリウムの水溶液2に浸漬し、上記基板1に水素ガスを吹きつける。水酸化カリウムの水溶液2中に溶解した水素ガスが金属ニッケルの触媒作用により活性化し、酸化膜である酸化ニッケルを金属ニッケルに還元する。
請求項（抜粋）：
ニッケルメッキ膜が形成された基板に他のメッキを施す前に、水素ガスの気泡が散気した水酸化カリウムの水溶液に基板を浸漬し、上記基板に水素ガスを吹きつけることを特徴とする基板のニッケル面の前処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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