半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072700
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266347
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】傾斜基板を用いたAlGaInP/GaAs系半導体レーザを、歩留まりよく作製する製造方法を提供する。【解決手段】主面が(100)面から[0aa]方向(aは1または-1)に傾斜した基板上に半導体薄膜を形成して半導体素子ウエハーを作製する。次に、[0aa]方向にスクライブ線を形成する。次に、スクライブ線に沿ってバー状に分離劈開する。このとき、バー端部の劈開面である(0aa)面がウエハー主面となす角度が90 ゚以下である一方の帯状ウエハー端部にスクライブ線を形成する。これによって、クラックのない良好な半導体レーザ共振器面を形成できるので、製造歩留まりや信頼性の向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

主面が(100)面から[0aa]方向(aは1または-1)に2 ゚以上傾斜した基板上に半導体薄膜を形成してなる半導体素子ウエハーの劈開分離工程において、前記ウエハー主面上の[0aa]方向(aは1または-1)にスクライブ線を形成し、主面とは対向する面に加重を加えて、スクライブ線に沿って帯状ウエハーに分離する工程であり、スクライブ線を、前記帯状ウエハー端部の劈開面である(0aa)面(aは1または-1)が前記ウエハー主面となす角度が90 ゚以下となる一方の前記帯状ウエハー端部に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/301 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B , H01L 21/78 U

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