特許

J-GLOBAL ID：200903015692048795

高分子固体電解質薄膜の製造方法および積層方法

発明者： 三浦 克人 ,  肥後橋 弘喜 ,  柳田 政徳 ,  村永 外志雄
出願人/特許権者： ダイソー株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188230
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039940
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 高分子固体電解質薄膜の製造方法および積層方法【解決手段】 式A:【化1】(式中、mが50〜95モル%、nが5〜50モル%、pが0〜10モル%、R1は炭素数1〜12のアルキル基、R2は架橋反応性基を含む置換基、kは1〜4の整数)で示される重量平均分子量が10万〜400万のポリエーテル重合体および電解質塩化合物を、沸点60°C〜300°Cの有機溶媒に溶解させ、これを離型性の基材上に塗布した後、溶媒を除去し、高分子固体電解質薄膜を作製し、得られた薄膜を電極上に転写する。

請求項（抜粋）：

式A:【化1】(式中、mが50〜95モル%、nが5〜50モル%、pが0〜10モル%、R1は炭素数1〜12のアルキル基、R2は架橋反応性基を含む置換基、kは1〜4の整数)で示される重量平均分子量10万〜400万のポリエーテル重合体および電解質塩化合物を、沸点60°C〜300°Cの有機溶媒に溶解させ、これを離型性の基材上に塗布した後、溶媒を除去し、高分子薄膜を形成することを特徴とする高分子固体電解質薄膜の製造方法。

IPC (10件)：

H01B 1/12 ,  B29C 41/12 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 71/02 ,  H01M 6/18 ,  H01M 10/40 ,  B29K 71:00 ,  B29L 7:00

FI (8件)：

H01B 1/12 Z ,  B29C 41/12 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 71/02 ,  H01M 6/18 E ,  H01M 10/40 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-154736
  
• 特開昭63-213266