特許

J-GLOBAL ID：200903015694332440

半導体受光装置

発明者： 安岡 奈美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-366221
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188415
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体受光装置に関し、半導体受光装置に於いて、光吸収層で吸収されなかった微少な光が乱反射するのを抑止し、信号光を切った後に裾引き電流が発生することを防止しようとする。【解決手段】 基板21上に少なくとも光吸収層22及びウインドウ層23が積層形成され且つ受光面に対応するpn接合を生成する不純物拡散領域24が形成されると共に該受光面に光が入射可能であるように位置を選択して形成されたp側電極25及び該受光面から外れた位置を選択して形成されたn側電極26を有してなる半導体受光素子と、該半導体受光素子の裏面側に結合されて該半導体受光素子を透過した光を受け入れるシリコンで構成されたサブ・キャリヤ30とを備える。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも光吸収層及びウインドウ層が積層形成され且つ受光面に対応するpn接合が生成されると共に該受光面に光が入射可能であるように位置を選択して形成された表面側電極及び該受光面から外れた位置を選択して形成された裏面側電極を有してなる半導体受光素子と、該半導体受光素子の裏面側に結合されて該半導体受光素子を透過した光を受け入れる光透過性或いは光吸収性の材料で構成されたサブ・キャリヤとを備えてなることを特徴とする半導体受光装置。

Fターム (10件)：

5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ03 ,  5F049TA03