半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147211
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340746
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】スクライブラインのコーナー部を素子形成に有効利用することにより、スクライブラインの幅の縮小とチップサイズの縮小を可能とした半導体装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路基板1のチップ内回路領域2の外側にボンディングパッド3が配列され、その外側にチップ分離のためのスクライブライン4が形成される。スクライブライン4はそのコーナー部4aが他の部分4bに比べて幅広に形成され、そのコーナー部4aにウェハテスト回路5及びテスト用パッド6が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板のチップ分離のためのスクライブライン内に半導体素子を形成するようにした半導体装置において、前記スクライブラインはそのコーナー部が他の部分より幅広に形成され、且つ前記半導体素子は前記スクライブラインのコーナー部に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/66 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 27/04 T , H01L 21/66 Y , H01L 21/78 L

Fターム (8件)：

4M106AA02 , 4M106AA07 , 4M106AC05 , 5F038BE07 , 5F038CA13 , 5F038DT04 , 5F038DT12 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-234544
特開昭63-234544

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