特許

J-GLOBAL ID：200903015706153589

半導体ウエハ、半導体ウエハの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 石田 英嗣 ,  磯前 誠一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-042034
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242153
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【目的】ホウ素イオン注入し且つ転位の発生を抑制した良質の半導体ウエハを提供する。また、この半導体ウエハを用いて製造した半導体装置の製造歩留まりを向上させる。【解決手段】ホウ素イオンと炭素イオンとを注入した半導体基板を用いて製造したエピタキシャルウエハおよびこれを用いた半導体装置、およびその製造方法を提供する。【効果】良質の半導体ウエハを提供出来る。また、これを用いた半導体装置は良好の特性を保ちつつ製造歩留まりの向上を図り得る。

請求項（抜粋）：

少なくともホウ素と局在せしめられた炭素とを含有する半導体基板本体に、半導体単結晶層を有することを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (5件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/322 J ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/08 321 B