特許
J-GLOBAL ID：200903015715506761
水素吸蔵合金電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 隆盛 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078748
公開番号（公開出願番号）：特開2001-266865
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 水素ガス還元処理を行って水素吸蔵合金粉末表面を活性にしても、この表面活性を維持できるような処理方法を提供して、放電容量に優れた水素吸蔵合金電極を得られるようにする。【解決手段】 本発明の水素吸蔵合金電極の製造方法は、水素吸蔵合金の粉末を実質的に水素ガスの吸蔵が起こらない温度に維持された水素ガス雰囲気中に保持して、同合金粉末表面に存在する酸化物または水酸化物を還元する水素ガス還元工程と、水素ガスの吸蔵が起こらない温度に維持された水素ガス雰囲気を真空引きして水素ガスを排出する排気工程と、水素ガスが排出された雰囲気を室温まで冷却した後、同雰囲気中に吸着ガスを導入して水素吸蔵合金の粉末表面に吸着ガスを吸着させるとともに、同雰囲気を常圧に戻す吸着工程とを備えるようにしている。
請求項（抜粋）：
電気化学的に水素の吸蔵・放出を可逆的に行うことができ、かつ少なくとも希土類およびニッケルを含有する水素吸蔵合金を備えた水素吸蔵合金電極の製造方法であって、前記水素吸蔵合金の粉末を実質的に水素ガスの吸蔵が起こらない温度に維持された水素ガス雰囲気中に保持して、同合金粉末表面に存在する酸化物または水酸化物を還元する水素ガス還元工程と、前記温度に維持された前記水素ガス雰囲気を真空引きして水素ガスを排出する排気工程と、前記水素ガスが排出された雰囲気を室温まで冷却した後、同雰囲気中に吸着ガスを導入して前記水素吸蔵合金の粉末表面に前記吸着ガスを吸着させるとともに、同雰囲気を常圧に戻す吸着工程とを備えたことを特徴とする水素吸蔵合金電極の製造方法。
IPC (3件)：
H01M 4/38
, B22F 5/00
, H01M 4/26
H01M 4/38 A
, B22F 5/00 K
, H01M 4/26 J
4K018BA03
, 4K018BA04
, 4K018BC01
, 4K018BC09
, 4K018BD07
, 5H050AA19
, 5H050CB17
, 5H050DA03
, 5H050DA09
, 5H050DA15
, 5H050EA11
, 5H050EA16
, 5H050GA02
, 5H050GA12
, 5H050GA13
, 5H050GA15
, 5H050GA16
, 5H050GA27
, 5H050HA01
