特許
J-GLOBAL ID：200903015721483854

窒化物半導体発光素子

発明者：
三賀 大輔

三賀 大輔 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-171453
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011857
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】従来の電極構造は、LEDからの光の一部がp電極のパッド部及びn電極に吸収されてしまうという問題があった。【解決手段】本件発明は、p電極を備えるp型窒化物半導体とn電極を備えるn型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子である。特に、p電極は窒化物半導体素子からの光の少なくとも一部を透過する光透過部と、導電性部材が接続されるパッド部とからなり、パッド部はp型窒化物半導体側から順に第1の層と第2の層を備え、第2の層は窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、第1の層よりも反射率が高いことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p電極を備えるp型窒化物半導体とn電極を備えるn型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子において、 前記n電極は、前記n型窒化物半導体側から順に、第1の層と第2の層を備え、 前記第2の層は、前記窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、前記第1の層よりも反射率が高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
引用特許：
審査官引用 (7件)
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