特許
J-GLOBAL ID：200903015722964619
半導体素子の温度検出装置及び温度検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 裕作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331692
公開番号（公開出願番号）：特開2001-147163
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 実際に稼働中のICモジュール内のオン状態の半導体素子の温度を直接検出する。【解決手段】 ICモジュール化された半導体素子の温度検出装置において、ICモジュールの稼働時に、オン状態の半導体素子Q1を流れる信号の電流値を検出するとともに、予め定めた基準電流値になったことを判定する電流検出手段10と、電流検出手段10が基準電流値になったと判定したとき基準電流値の電流が半導体素子Q1を流れた際の電圧値を検出する電圧検出手段20と、電圧検出手段20が検出した電圧値を用いて半導体素子Q1の温度を導出する温度導出手段30とを備えて、オン状態の半導体素子Q1の基準電流値における温度を検出する。
請求項（抜粋）：
ICモジュール化された半導体素子の温度検出装置において、上記ICモジュールの稼働時に、オン状態の半導体素子を流れる信号の電流値を検出するとともに、予め定めた基準電流値になったことを判定する電流検出手段と、上記電流検出手段が基準電流値になったと判定したとき当該基準電流値の電流が上記半導体素子を流れた際の電圧値を検出する電圧検出手段と、上記電圧検出手段が検出した電圧値を用いて、上記半導体素子の温度を導出する温度導出手段とを備えたことを特徴とする半導体素子の温度検出装置。
IPC (2件)：
G01K 7/01
, G01K 7/00 321
G01K 7/00 321 G
, G01K 7/00 391 C
