特許
J-GLOBAL ID：200903015723800334
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238039
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204331
出願日： 1989年10月30日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 縦型のパワー素子が形成可能であるとともに、パワー素子の耐圧構造に要する基板面積によりパワー素子部の寸法面積が大きくなることのない素子間分離が実現できる半導体装置を提供すること。【構成】 第1半導体基板50において、楔状の溝4と、第1半導体基板1と第2半導体基板8との接合面には絶縁層6が設けられ、この絶縁層6に囲まれたSOI領域(第1の機能素子部)20と、第2半導体基板8に電気的に導通したパワー部形成領域(第2の機能素子部)5とが形成される。このパワー部形成領域には、PN接合端面が溝4の側面の絶縁層6に露出したパワー素子が形成されている。
請求項（抜粋）：
第1半導体基板および第2半導体基板の各々鏡面研磨面を接合面として密着接合した接合基板を備える半導体装置において、前記第1半導体基板に設けられ、前記接合面から前記第2半導体基板に対向する他表面方向に対して垂直方向の断面積が徐々に小さくなる形状で、かつ他表面まで形成される複数の溝部と、この溝部の内壁および前記溝部間の接合面を被覆する絶縁層と、この絶縁層にて電気的に絶縁分離して区画され、前記接合基板の一領域に形成された第1の機能素子部と、前記溝部に隣接する前記接合基板の他領域に形成された第2の機能素子部と、この第2の機能素子部にて設けられ、前記溝部側面の絶縁層にPN接合端面が露出している高耐圧のパワー素子と、を備える半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 27/08 331
, H01L 29/784
H01L 29/78 321 C
, H01L 29/78 321 R
