特許
J-GLOBAL ID：200903015725111072
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044700
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237461
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 活性層に対して均一に電流が注入されるようにして、活性層からの発光を均一にし、近視野像の強度分布の均一性が向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板10と透明導電膜28との間に活性層18が形成された半導体発光素子において、透明導電膜28上に設けられた電極パッド30に接続され、透明導電膜28の端近傍まで延びる細線電極32を形成する。この細線電極32から透明導電膜28を介して活性層18に電流を注入することにより、活性層18に対して均一に電流が注入できるようになる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と透明導電膜との間に発光層が形成された半導体発光素子であって、前記透明導電膜上に設けられた電極パッドと、前記透明導電膜上に設けられ、前記電極パッドに接続されて、前記透明導電膜上の端近傍まで形成されている細線電極と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (14件)：
5F041AA05
, 5F041AA21
, 5F041AA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA53
, 5F041CA64
, 5F041CA82
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA94
