特許
J-GLOBAL ID：200903015726773672
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
岡戸 昭佳
, 富澤 孝
, 山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349806
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116822
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 高耐圧化と低オン抵抗化とを両立させ,簡便に作製することができる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 まず,N+ ドレイン領域11となるN+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりN- ドリフト領域12,P- ボディ領域41およびN+ ソース領域31を形成する。次に,底部がN- ドリフト領域12にまで到達するトレンチ21を形成する。次に,トレンチ21の底部からイオン注入および熱拡散処理を行うことでPフローティング領域51を形成する。次に,トレンチ21内部に絶縁物を堆積し,エッチングすることで堆積絶縁層23を形成する。次に,トレンチ21の壁面に酸化膜24を形成する。そして,堆積絶縁層23の上部に導体を堆積することでゲート電極22を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通しその底部が前記ボディ領域より下方に位置するトレンチ部とを有する絶縁ゲート型半導体装置において,
前記ドリフト領域に囲まれるとともに第1導電型半導体であるフローティング領域を有し,
前記トレンチ部の底部は,前記フローティング領域内に位置し,
前記トレンチ部内には,
前記フローティング領域と接し,絶縁物を堆積してなる堆積絶縁層と,
前記堆積絶縁層上に位置し,前記ボディ領域と対面するゲート電極とが形成されており,
前記堆積絶縁層の上端は,前記フローティング領域の上端よりも上方に位置することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (7件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658F
出願人引用 (6件)
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絶縁ゲート半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-331321
出願人：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-293966
出願人：株式会社東芝
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特許第6194741号
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審査官引用 (6件)
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