特許
J-GLOBAL ID：200903015727302894
ZnSeを有する半導体材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153863
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037019
出願日： 1991年05月28日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【構成】 ZnSe基板1上にGaInP活性層2およびZnSeクラッド層3を順次成長させて、半導体発光素子を作製する。【効果】 ZnSeは活性層よりもそのバンドギャップが大きく、活性層からの発光を吸収せず、また、ZnSe基板はクラッド層としての機能をも具備しており、基板と活性層との間に特にクラッド層を設ける必要がなく、製造工程が簡略化される。さらに、構成成分としてのAlを排除することができ、素子としての性能、安定性、信頼性が維持される。
請求項（抜粋）：
少なくとも基板、活性層およびクラッド層が順次形成されてなる半導体材料であって、該基板および/または該クラッド層がZnSeよりなることを特徴とする半導体材料。
IPC (2件)：
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