特許

J-GLOBAL ID：200903015734061878

P型熱電変換材料の製造方法

発明者： 山崎 圭一 ,  余田 浩好 ,  橋本 登 ,  八島 勇
出願人/特許権者： 松下電工株式会社 ,  三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087650
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284237
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 常圧焼結法により、高性能なP型熱電変換材料を安価に製造することができる方法を提供する。【解決手段】 Bi、Te、Sb、及びSe元素からなる群より選択され、ドーパントとしてのTeを含まないP型半導体組成を有する合金塊を調製する。前記組成の合金塊を、酸素濃度が30ppm以下の非酸化性ガス雰囲気下で粉砕して合金粉末を形成する。前記合金粉末を、酸素濃度が30ppm以下の非酸化性ガス雰囲気下で所望の形状の成形体に成形する。前記成形体を密閉容器中に配置し、かつ前記成形体の体積の、密閉容器の内容積に対する体積比率が1%以上となる状態で焼成する。このようにして得られる焼結体をP型熱電変換材料とする。

請求項（抜粋）：

Bi、Te、Sb、及びSe元素からなる群より選択され、ドーパントとしてのTeを含まないP型半導体組成を有する合金塊を調製する工程、前記組成の合金塊を、酸素濃度が30ppm以下の非酸化性ガス雰囲気下で粉砕して合金粉末を形成する工程、前記合金粉末を、酸素濃度が30ppm以下の非酸化性ガス雰囲気下で所望の形状の成形体に成形する工程、及び前記成形体を密閉容器中に配置し、かつ前記成形体の体積の、密閉容器の内容積に対する体積比率が1%以上となる状態で焼成することによって常圧焼結する工程から成ることを特徴とするP型熱電変換材料の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 35/34 ,  C22C 1/04 ,  H01L 35/16

FI (3件)：

H01L 35/34 ,  C22C 1/04 E ,  H01L 35/16