特許

J-GLOBAL ID：200903015734646841

発光素子

発明者： 三村 秀典 ,  二木 登史郎 ,  松本 貴裕
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034507
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206514
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 光通信、自発光型ディスプレイ、光源、光集積回路等に用いることのできる、pn接合を用いた電荷注入型の発光素子を多孔質シリコンを用いて実現することを目的としている。【構成】 pnの接合を用いた電荷注入型発光素子を実現するためには、発光層にp型半導体から正孔を、かつn型半導体から電子を注入し、発光層で再結合させることが必要である。そのため、p型及びn型単結晶シリコン基板上に多孔質シリコンを作製し、単結晶シリコンと異なる伝導型を持つ微結晶を含有する非晶質シリコンカーボンを多孔質シリコン上へ堆積し、上記の条件を満足するようにした。【効果】 シリコン半導体を用いたものでは初めて、pn接合を用いた電荷注入型の発光素子を実現した。

請求項（抜粋）：

p型またはn型単結晶シリコン基板上に形成された多孔質シリコンと前記単結晶シリコンと異なる伝導型をもつ微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜からなるpn接合を用いた電荷注入型発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-073486
  
• 特開平4-073486
  
• 特開昭54-041235