特許

J-GLOBAL ID：200903015734686231

化合物半導体製造用水平反応炉

発明者： シン ヒョン キル
出願人/特許権者： ハンベック コーポレイション
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009728
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312650
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 均一な薄膜を製造することができるGaN半導体製造用水平反応炉を提供する。【解決手段】 半導体膜が形成される基板を支持するサセプターと、開放された両端部を有する反応ガス原料通路を限定する上部面と下部面及び二つの側面を含み、上部面は反応ガス原料の層流を誘導する傾斜面をその中間部に有し、下部面はサセプターを傾斜面と対向する位置で支持する内壁と、内壁を取り囲んでいる外壁と、反応ガス原料通路にアンモニアガスを供給するアンモニア供給手段と、反応ガス原料通路の前記両端部のうち、一方側端部と連通してアンモニア以外の反応ガス原料を供給する反応ガス原料供給手段と、反応ガス原料通路の他方側端部と連通して反応ガスの原料通路からの反応ガス原料を排出させる反応ガス原料排出手段と、アンモニアガス加熱手段と、サセプター加熱手段と、を備える。

請求項（抜粋）：

半導体膜が形成される基板を支持するサセプターと、開放された両端部を有する反応ガス原料通路を限定する上部面と下部面及び二つの側面を含み、上部面は反応ガス原料の層流を誘導する傾斜面をその中間部に有し、下部面はサセプターを前記傾斜面と対向する位置で支持する内壁と、前記内壁を囲んでいる外壁と、前記反応ガス原料通路にアンモニアガスを供給するアンモニア供給手段と、反応ガス原料通路の前記両端部のうち、一端部と連通してアンモニア以外の反応ガス原料を前記反応ガス原料通路に供給する反応ガス原料供給手段と、反応ガス原料通路の他の端部と連通して前記反応ガス原料通路から反応ガス原料を排出させる反応ガス原料排出手段と、アンモニアガスを加熱するためのアンモニアガス加熱手段、及びサセプターを加熱するためのサセプター加熱手段を含むことを特徴とする化合物半導体製造用水平反応炉。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 673

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673

引用特許：

審査官引用 (1件)

• GaN膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-335033   出願人：日新電機株式会社