特許
J-GLOBAL ID:200903015736280143
薄膜トランジスタのために自己ドーピング層を使用してオーム接触部を形成する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-090670
公開番号(公開出願番号):特開2001-308345
出願日: 2001年03月27日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】 薄膜トランジスタ用のオーム接触部の形成を単純化する方法を提供すること。【解決手段】 本発明に従って半導体デバイス用のオーム接触部を形成する方法は、内部に一体的に形成されたドーパントを含む金属含有層を形成することを含む。金属含有層をパターン付けして、半導体デバイスの構成要素を形成し、金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる。半導体デバイスをアニールして、金属含有層から半導体層内にドーパントを外方拡散させことにより、その間にオーム接触部を形成させる。
請求項(抜粋):
半導体デバイス用のオーム接触部を形成する方法であって、内部に一体的に形成されたドーパントを含む金属含有層を形成する段階と、前記金属含有層をパターン付けして半導体デバイス用の構成要素を形成する段階と、前記金属含有層と接触させるために半導体層を付着させる段階と、前記半導体デバイスをアニールすることにより、ドーパントを前記金属含有層から前記半導体層中に外方拡散させて、その間にオーム接触部を形成させる段階とを含む方法。
IPC (4件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/225
, H01L 21/28 301
FI (5件):
H01L 21/225 M
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 616 V
引用特許:
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