半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007383
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204032
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】素子の基板占有面積を縮小させることにより、高集積化に適した構造とする。【構成】不純物拡散層203が形成された基板201上に層間絶縁膜204が形成され、この層間絶縁膜204を貫通して形成された第1のホール205内に、ソース領域となるN型の第1の半導体層206aとチャネル領域となるP型の第2の半導体層206bと、ドレイン領域となるN型の第3の半導体層206cとの三層構造の半導体層206が埋め込まれ、この半導体層206に形成された第2のホール209内に第1の絶縁薄膜210を介して縦方向にフローティングゲート211とこのフローティングゲート211と第2の絶縁薄膜212を介して縦方向にコントロールゲート213が形成されている。【効果】縦形の半導体装置とすることで、基板の素子占有面積が減少する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜、この絶縁膜を貫通して形成された第1のホール内に埋め込まれたソース/ドレイン領域の一方となる第1導電型である第1の半導体層と、この第1の半導体層上に形成され縦方向にチャネル領域を形成する第2導電型である第2の半導体層と、この第2の半導体層上に形成され、ソース/ドレイン領域の他方となる第1導電型である第3の半導体層とからなる三層構造の半導体層を備えるとともに、この三層構造の半導体層の上記第2及び第3の半導体層を貫通して形成された第2のホール内に、この第2のホールの内側壁に第1の絶縁薄膜を介して縦方向に形成された所定厚さのフローティングゲート、及び上記フローティングゲートの内側壁に第2の絶縁薄膜を介して縦方向に形成されたコントロールゲートを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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