特許

J-GLOBAL ID：200903015740742062

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 梅田 卓也 ,  岡田 裕幸
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128874
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338605
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 フォトダイオードの広帯域な分光特性と、周辺回路部MOSFETの高精度なしきい値制御性を実現する。【構成】 高加速イオン注入法により画素部Aと周辺回路部Bの全面の基板深部にp型注入層を形成し、さらにイオン注入法により画素部Aと周辺回路部Bの全面の基板表面に浅いp型注入層を形成し、その後900度から1100度の熱処理温度でp型注入層を拡散することにより、基板表面に形成されるp型ウェル1と基板深部に形成されるp型ウェル2の二重構造のp型ウェルを形成し、フォトダイオードのn型不純物領域4を基板深部のp型ウェル2に侵入するように深く形成し、フォトダイオードの広帯域な分光特性を実現し、また、周辺回路部BのMOSFETのしきい値を独立に制御することを可能とし、周辺回路部BのMOSFETの高精度なしきい値制御性を実現する。

請求項（抜粋）：

フォトダイオードおよびCCD転送チャネルならびに周辺回路部をn型半導体基板に形成したCCD固体撮像装置であって、前記n型半導体基板の主面上の基板表面部と基板深部に二つのピークを持つようにp型ウェルを形成し、前記フォトダイオードのn型不純物領域を前記基板深部の前記p型ウェルに侵入するように深く形成したことを特徴とする固体撮像装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-158575
  
• 特開平1-305571
  
• 特開平4-152675
  
• 特開平2-306661
  
• 特開平4-212417