特許
J-GLOBAL ID：200903015741283126

圧電体素子およびその形成方法

発明者：
小牧 一樹

小牧 一樹 について

, 
野村 幸治

野村 幸治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008488
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217463
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 圧電体素子において、欠陥の少ない高品質の圧電体素子、および圧電体素子に用いられる圧電体薄膜を品質良く形成するための薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Pb、ZrおよびTiを含むペロブスカイト型の圧電体薄膜とその圧電体薄膜と振動板もしくは振動板の効果をあわせ持った電極との間にZrを含まない酸化物薄膜を設けることからなるものである。
請求項（抜粋）：
少なくとも圧電体とこの圧電体に電圧を印加するかもしくは圧電体からの電荷を取り出すための電極とから構成され、かつ前記圧電体の伸縮を増加あるいは圧電体の伸縮方向とは別の方向に変位を生じさせるための振動板を設けるか一方の電極が振動板の効果をあわせ持った圧電体素子において、少なくともPb、ZrおよびTiを含むペロブスカイト型の圧電体薄膜とその圧電体薄膜と振動板もしくは振動板の効果をあわせ持った電極との間にZrを含まない酸化物薄膜を設けた圧電体素子。
IPC (4件)：
H01L 41/09 ,  C23C 14/06 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (4件)：
C23C 14/06 N ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z
Fターム (8件)：
4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA02 ,  4K029GA01
引用特許：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM