特許
J-GLOBAL ID：200903015742787209

エッチング液および半導体膜のエッチング方法

発明者：
岸本 良雄

岸本 良雄 について

, 
上田 哲生

上田 哲生 について

, 
足立 秀人

足立 秀人 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355436
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176863
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 エッチング液の臭気を低減し、かつエッチングの際のエッチング挙動に対する光の影響を低減する。【解決手段】 AlGaInP系の化合物半導体多層膜のうち、Alを含む半導体層を選択エッチングする湿式エッチング液として、主成分が塩酸と、ジカルボン酸または光学不活性のオキシカルボン酸との混合溶液を用いる。上記カルボン酸にはマロン酸またはグリコール酸を特に用いる。
請求項（抜粋）：
塩酸と、有機酸とを含む水溶液よりなり、前記有機酸がジカルボン酸または光学不活性のオキシカルボン酸であり、AlxGa1-x-yInyP(0.2≦x≦1、0≦y≦1)よりなる化合物半導体膜をエッチングするエッチング液。
IPC (5件)：
H01L 21/308 ,  C09K 13/06 101 ,  H01L 21/306 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/323
FI (5件)：
H01L 21/308 C ,  C09K 13/06 101 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/306 B
Fターム (12件)：
5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043FF07 ,  5F043FF10 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073DA23
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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