特許
J-GLOBAL ID:200903015743278243

帯電緩和膜、帯電緩和膜の成膜方法、画像形成装置、および画像形成装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-049075
公開番号(公開出願番号):特開2000-248267
出願日: 1999年02月25日
公開日(公表日): 2000年09月12日
要約:
【要約】【課題】 成膜の再現性が難しい。熱工程で抵抗が変化しやすい。【解決手段】 遷移金属と珪素または窒化珪素とのターゲットをスパッタして得られる遷移金属と珪素との窒化化合物を有する帯電緩和膜。この帯電緩和膜を基材表面に有するスペーサを備えた画像形成装置。
請求項(抜粋):
遷移金属と珪素または窒化珪素とのターゲットをスパッタして得られる遷移金属と珪素との窒化化合物を有することを特徴とする帯電緩和膜。
IPC (3件):
C09K 3/16 101 ,  C09K 3/16 ,  H05F 1/02
FI (3件):
C09K 3/16 101 C ,  C09K 3/16 101 Z ,  H05F 1/02 E
Fターム (3件):
5G067AA55 ,  5G067CA02 ,  5G067DA02

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