特許

J-GLOBAL ID：200903015743816920

化合物半導体、その薄膜製造方法及びそれを用いた半導体装置

発明者： 古曳 重美 ,  根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136571
公開番号（公開出願番号）：特開平5-262504
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 化学式I-III-VI2で表されるカルコパイライト化合物半導体薄膜と格子定数や基体表面に対する配向性、表面モホロジーをも整合可能としデバイス特性を改善できる半導体薄膜を提供する。【構成】 化学式I-III-VI2-xVx、またはI-III-VI2-xVIIxで表されるカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜を構成し、このI-III-VI2-xVxカルコパイライト薄膜I-III-VI2カルコパイライトホモ接合半導体装置、またはI-III-VI2-xVxカルコパイライト薄膜I-III-VI2-xVIIxカルコパイライトホモ接合半導体装置を構成する。また、前記化合物半導体薄膜は、超高真空中に置かれた基体上に各元素の分子線、イオン線を同時に照射するか、または化学式I-III-VI2で表されるカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜を形成後VまたはVII族元素の分子線、イオン線を用いてV族原子をドープする事により得る。

請求項（抜粋）：

化学式I-III-VI2-xVx で表されることを特徴とするカルコパイライト構造の化合物半導体。

IPC (5件)：

C01B 19/04 ,  C01G 1/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A