特許
J-GLOBAL ID:200903015747292992
デンドロン、及びこれを配位子とする蛍光性テルビウム錯体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-087967
公開番号(公開出願番号):特開2000-281618
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月10日
要約:
【要約】【課題】 より高輝度のテルビウム錯体を与えることのできる新規なデンドロン、及びこれを用いた従来にない高強度の蛍光能を有し且つ濃度消光の抑制されたテルビウム錯体を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表される2置換安息香酸残基をフォーカルポイントに有するデンドロン(一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ繰り返し単位に芳香環を有するデンドリマー残基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。)、又は、下記一般式(2)で表される3置換安息香酸残基をフォーカルポイントに有するデンドロン(一般式(2)中、R3〜R5は、それぞれ繰り返し単位に芳香環を有するデンドリマー残基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。)。【化1】【化2】
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される2置換安息香酸残基をフォーカルポイントに有するデンドロン。(一般式(1)中、R1 及びR2 は、それぞれ繰り返し単位に芳香環を有するデンドリマー残基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。)【化1】
IPC (3件):
C07C 65/34
, C07F 5/00
, C09K 11/06
FI (3件):
C07C 65/34
, C07F 5/00 D
, C09K 11/06
Fターム (19件):
4H006AA01
, 4H006AB92
, 4H006AC24
, 4H006AC43
, 4H006BA02
, 4H006BA32
, 4H006BA92
, 4H006BB15
, 4H006BB16
, 4H006BB20
, 4H006BB25
, 4H006BB61
, 4H006BC10
, 4H006BC19
, 4H048AA01
, 4H048AB92
, 4H048VA20
, 4H048VA70
, 4H048VB10
引用特許:
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