ポストベークシミュレーション方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023836
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223509
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】半導体製造装置に用いるリソグラフィー工程のポストベークシミュレーションを高速に計算するポストベークシミュレーョン方法を提供する。【解決手段】レジスト内のインヒビタ濃度分布を拡散長に応じて境界条件と界面反応を考慮して領域を拡張することより、高速フーリエ変換のアルゴリズムを使ってポストベーク時の拡散計算を行う。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置に用いるリソグラフィー工程のポストベークシミュレーション方法において、露光計算により得られたインヒビタ濃度分布を横方向に境界条件に従って拡張する工程と、前記インヒビタ濃度分布を深さ方向に界面反応を考慮して拡張する工程と、拡張した前記インヒビタ濃度分布を高速フーリエ変換によってフーリエ変換したインヒビタ濃度分布を計算する工程と、前記フーリエ変換後のインヒビタ濃度分布とガウス分布のフーリエ変換の積であるフーリエ変換積を計算する工程と、前記フーリエ変換積を高速フーリエ変換によって逆フーリエ変換することによりベーク工程における拡散後のインヒビタ濃度分布を求める工程を含むことを特徴とするポストベークシミュレーション方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , H01L 21/00

FI (3件)：

H01L 21/30 571 , G03F 7/20 521 , H01L 21/00

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