特許
J-GLOBAL ID：200903015756538651
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143909
公開番号（公開出願番号）：特開平5-342893
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 周辺温度など使用環境による高電圧の過上昇を検知,抑制し、メモリセルアレイへ加わるストレスを緩和することができる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【構成】 不揮発性半導体メモリ装置の内部にメモリセルアレイ1,アドレスレジスタ2,コントロール回路3,データ入出力部4,昇圧回路5及び高電圧の過上昇を検知し、抑制する過上昇抑制回路6が配設されている。
請求項（抜粋）：
データを記憶するメモリセルアレイへ電圧を印加してデータの消去又は書き込みを行う不揮発性半導体メモリ装置において、前記電圧を検知する回路と、この電圧が所定値より高い場合はこれを抑制する回路とを備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
