特許

J-GLOBAL ID：200903015764847817

III族窒化物半導体層およびその成長方法

発明者： 小島 彰 ,  永井 誠二 ,  冨田 一義
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-286546
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057064
出願日： 2003年08月05日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】GaN成長層に貫通転位が生じることを効果的に防ぐことができ、工程数を大にすることなく高品質のGaN結晶を得ることのできるIII族窒化物半導体層およびその成長方法を提供する。【解決手段】第1のGaN層5Cの凸凹表面に、Siを含む薄膜5Dを設ける。Siを含む薄膜5Dは、リアクタにNH3を供給しながらSiH4を供給し、1050°Cの成長温度で第1のGaN層5Cの凸凹表面に1原子層〜数原子層程度の厚さとなるように成長させる。このように第1のGaN層5Cの凸凹表面に形成されたSiを含む薄膜5Dが、微小マスクとして貫通転位の伝搬を抑える。即ち、Siを含む薄膜5Dは貫通した多数の空隙を有する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

所定の転位密度を有する第1のIII族窒化物半導体層と、 前記第1のIII族窒化物半導体層の表面に形成された複数の空隙を有するSiを含む薄膜と、 前記Siを含む薄膜の前記複数の空隙を介して前記第1のIII族窒化物半導体層から成長し、前記所定の転位密度より小なる転位密度を有する第2のIII族窒化物半導体層を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体層。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (25件)：

5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273882   出願人：住友電気工業株式会社