特許
J-GLOBAL ID：200903015765998002
ガラスセラミック配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388430
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224338
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 配線導体の表面にガラス成分が多量に析出してワイヤボンディングや半導体素子・チップ部品等の実装ができなくなる。【解決手段】 ガラスセラミックスから成る絶縁基板1の表面に、100重量部のAg-Pdおよび1〜5重量部のガラスを含む第1の導体層2と、この第1の導体層2上に積層された100重量部のAg-Pdおよび0.1〜0.5重量部のガラスを含む第2の導体層3とから成る配線導体を形成したガラスセラミック配線基板である。配線導体の表面へのガラスの析出や、膨れや発泡等の外観上の欠陥が抑えられ、良好なワイヤボンディング性や半導体素子・チップ部品等の実装性が得られる。また、ガラスセラミック絶縁基板1と配線導体との焼成時の収縮挙動をマッチングさせることができ、配線導体を十分な接合強度で形成することができる。
請求項（抜粋）：
ガラスセラミックスから成る絶縁基板の表面に、100重量部のAg-Pdおよび1〜5重量部のガラスを含む第1の導体層と、該第1の導体層上に積層された100重量部のAg-Pdおよび0.1〜0.5重量部のガラスを含む第2の導体層とから成る配線導体を形成したことを特徴とするガラスセラミック配線基板。
FI (2件)：
H05K 1/09 C
, H05K 1/09 A
4E351AA07
, 4E351BB01
, 4E351BB31
, 4E351BB38
, 4E351CC12
, 4E351CC22
, 4E351CC31
, 4E351DD22
, 4E351EE02
, 4E351EE09
, 4E351GG02
