特許

J-GLOBAL ID：200903015766332571

多層配線基板の製造方法

発明者： 樫村 隆司 ,  山口 欣秀 ,  片岡 文雄 ,  渡部 真貴雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074978
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270859
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】導体回路間の線間絶縁特性に優れた、信頼性の高いビルドアップ多層配線基板の製造方法を提供する。さらに最表面導体回路間隔が狭い場合でも、高歩留まりで表面メタライズが可能なビルドアップ基板の製造方法を提供する。【解決手段】導体回路形成工程と層間絶縁膜形成工程とを交互に繰り返し、ビルドアップ方式によリ多層配線基板を製造する際、導体回路形成後に導体回路間の絶縁樹脂表面をO2プラズマ処理あるいは、UV/O3処理により軽くエッチングした後、水洗することにより化学的に除去する。

請求項（抜粋）：

導体回路形成工程と層間絶縁膜形成工程とを交互に繰り返し、ビルドアップ方式により多層配線基板を製造する方法において、導体回路形成後に導体回路間の絶縁樹脂表面をエッチングにより除去することを特徴とする多層配線基板の製造方法。

FI (5件)：

H05K 3/46 V ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 T