特許
J-GLOBAL ID：200903015769994079
電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342035
公開番号（公開出願番号）：特開平6-265709
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 直接描画電子線リソグラフィとホログラフィ露光とを用いて、光電子構造物に回折格子を形成する技術を提供する。【構成】 直接描画電子線リソグラフィを用いて、マスク基板に矩形回折格子歯が形成される。ついで、マスクは、矩形回折格子パターンを光電子素子に転写する位相マスクとして使用される。フォトマスクに矩形回折格子パターンを形成するために直接描画電子線リソグラフィを利用すれば、所望の数と位置とを有する階段移相、多格子ピッチ、アラインメント基準および他の所望の構造を形成することが可能となる。したがって、直接描画電子線マスクの1回露光で、種々の格子パターンを同時に焼付けすることができる。
請求項（抜粋）：
光電子素子に所定の格子構造を製造する方法において、a) 直接描画電子線リソグラフィにより形成された回折格子パターンを含むフォトマスクを供給し、回折格子パターンは、所望の数と位置との階段移相と所望複数の格子ピッチとからなるステップと、b) 透過ビームと第1次回折ビームとを形成するのに十分な所定角θi でフォトマスクに光を照射するステップと、c) フォトレジスト内に回折格子パターンを複製する近視野強度パターンを、透過ビームと第1次回折ビームとが干渉することにより形成するように、フォトレジスト被覆電子素子基板を露光するステップと、d) フォトレジストを現像し、回折格子パターンを下層の光電子素子基板に転写するステップとからなる電子線リソグラフィを用いる回折格子製造方法。
引用特許：
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