パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-317628
公開番号（公開出願番号）：特開2006-126695
出願日： 2004年11月01日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】本発明は、半導体素子やプリント配線板などにおけるフォトリソグラフィ工程或いは単に感光性樹脂を硬化させる工程における露光技術に関し、小型化、高性能化に伴ない高い位置精度が必要とされる場合でも、的確にアライメントマークの検出し、パターンを形成することができる、パターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に感光性樹脂のパターンを形成する工程において、パターン形成部以外の部分を露光し、現像したアライメントマークが存在た後で、パターン部に対し露光、現像を行なうことにより解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に感光性樹脂のパターンを形成する工程において、パターン形成部以外の部分を露光し、現像したアライメントマークが存在た後で、パターン部に対し露光、現像を行ないパターンを形成することを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 9/00 , G03F 7/38 , H05K 3/00 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F9/00 Z , G03F7/38 501 , H05K3/00 G , H01L21/30 520B

Fターム (12件)：

2H096AA25 , 2H096AA26 , 2H096AA27 , 2H096BA09 , 2H096DA10 , 2H097AA11 , 2H097KA03 , 2H097KA18 , 2H097KA23 , 2H097KA29 , 2H097LA09 , 5F046FC02

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-369825号公報

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