広帯域電界吸収形半導体光変調器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280211
公開番号（公開出願番号）：特開平11-133366
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】駆動電圧と挿入損失の点で優れた広帯域電界吸収形半導体光変調器を提供する。【解決手段】吸収端波長が光信号の波長よりも短い半導体コア5と、電圧印加時に半導体コアの吸収端波長を長波長側に動かすことにより、光信号を半導体コアに吸収するための電圧印加用の電極1を具備する広帯域電界吸収形半導体光変調器であって、電極が進行波形電極をなすように電気信号用入力部I及び電気信号用出力部IIを配置し、駆動電圧を低減するために半導体コアを含むノンドープ層の全厚みDを薄くする。これにより生じたこの光変調器と外部回路との特性インピーダンスの不整合に起因する光変調帯域の劣化および電気信号の反射を、電気信号と光信号の相互作用部の長さを短くすることにより小さくする。半導体コアの上方および下方に位置するp形もしくはn形のドーピング層3、6のドーピング濃度を調整することにより、特性インピーダンスの不整合を補正する。

請求項（抜粋）：

吸収端波長が光信号の波長よりも短い半導体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動かすことにより、前記光信号を吸収するための電気信号印加用としての電極を具備する広帯域電界吸収形半導体光変調器において、前記電極が進行波形電極をなすように電気信号用入力部及び電気信号用出力部を配置し、さらに前記電気信号の駆動電圧を低減するように前記半導体コアを含むノンドープ半導体層の全厚みを薄くすることを特徴とする広帯域電界吸収形半導体光変調器。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-149529
光パルス発生制御素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-084965 出願人：日本電信電話株式会社

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