特許
J-GLOBAL ID：200903015783633330
半導体基板への不純物拡散領域形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-028693
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226273
出願日： 1992年02月15日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 高耐圧で導通時の損失が少ないだけでなくゲート・カソード間の逆耐圧が高い静電誘導サイリスタを実現するのに必要なゲート領域用の不純物拡散領域を、容易に、しかも、電極のカバレージ不良の発生を招来せずにすむように半導体基板に形成することができる方法を提供する。【構成】 表面に溝5が形成され溝形成側の面が溝内面を含めて酸化膜で覆われている半導体基板の前記溝の底の酸化膜に、窓8を開けておいて、異方性エッチングを行うことにより前記溝の底に新たな溝9を形成し、この新たな溝の内面から不純物を導入し不純物拡散領域12を形成するようにする半導体基板1への不純物拡散領域形成方法。
請求項（抜粋）：
表面に溝が形成され溝形成側の面が溝内面を含めて酸化膜で覆われている半導体基板の前記溝の底の酸化膜に、窓を開けておいて、異方性エッチングを行うことにより前記溝の底に新たな溝を形成し、この新たな溝の内面から不純物を導入し不純物拡散領域を形成するようにする半導体基板への不純物拡散領域形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 29/74
, H01L 29/784
