特許
J-GLOBAL ID:200903015783897183
面内注入型垂直キャビティ表面発光レーザ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三俣 弘文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-220014
公開番号(公開出願番号):特開2001-135890
出願日: 2000年07月21日
公開日(公表日): 2001年05月18日
要約:
【要約】【課題】 寄生容量を低減して動作速度を改善することができる面内注入型のVCSELを提供することを目的とする。【解決手段】 キャビティ共振器を形成する上側及び下側の反射鏡と、前記共振器の中に設けられた活性領域と、前記活性領域からみて反対側に設けられた高導電の上側および下側コンタクト層と、前記上側および下側コンタクト層の上にそれぞれ設けられ前記上側の反射鏡から面内方向にみて両側に設けられた上部および下部電極と、前記活性領域のうちの比較的狭いチャネルに電流を狭窄するための開口を有する高抵抗層を含んだ電流ガイド構造と、を備え、前記上部電極の下側に延在した前記下側コンタクト層の一部分が、相対的に高い抵抗を有することを特徴とする面内注入型VCSELは、面内注入型VCSEL。本発明が有するこの特徴は、2つの目的を達成する。第1に、これは、平行パスで流れる電流の流れを抑制し、基礎モードに対してより有利となるような開口内での電流密度分布を形成する。第2に、これは寄生容量を低減する。
請求項(抜粋):
層に対して垂直な共振器軸を有するキャビティ共振器を形成する上側及び下側の多層反射鏡と、前記共振器に内部に設けられた活性領域と、前記軸に沿って伝搬する誘導放出光を生成するために開口を介して前記活性領域に電流を導く電流ガイド構造であって、前記放出光の一部は前記共振器から放射する出力信号を形成し、前記構造は前記活性領域からみて反対側に設けられた高導電の上側および下側コンタクト層を有する、電流ガイド構造と、前記上側および下側コンタクト層の上にそれぞれ設けられ、前記上側の反射鏡から面内方向にみて両側に設けられた上部および下部電極と、を備え、前記上部電極の下側に延在した前記下側コンタクト層の一部分が、相対的に高い抵抗を有することを特徴とする面内注入型垂直キャビティ表面発光レーザ。
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