パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307755
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161657
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】基板上の被加工膜に被着し、この被加工膜にバイアホールを形成するためのレジストパターンの開口部を小さくするパターン形成方法に係り、特にレジストパターン形成からバイアホール形成までの工程を短くできるパターン形成方法の提供を目的とする。【構成】基板11に形成した被加工膜12上の有機系のレジストパターン13に、化学的処理及び/又は物理的処理でレジストパターン13とともに一括して除去できる被膜14を被着した後、このレジストパターン13の側壁13aに付着した被膜14-1が残る程度に、残りの被膜14-2を異方性エッチングにより除去し、レジストパターン13に設けられている開口部Aを被膜14-1でもって小さくする。

請求項（抜粋）：

基板(11)に被着した被加工膜(12)上でパターン化された有機系のレジストパターン(13)に、化学的処理又は物理的処理により前記被加工膜(12)から前記レジストパターン(13)とともに一括して除去できる被膜(14)を被着した後に、このレジストパターン(13)の側壁(13a)に付着した被膜(14-1)が残る程度に残りの被膜(14-2)を異方性エッチングにより除去し、前記レジストパターン(13)に設けられている開口部(A)を前記被膜(14-1)により小さくすることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/30 570 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H , H01L 21/88 D

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