特許

J-GLOBAL ID：200903015789736521

画像形成装置

発明者： 廣島 康一 ,  小酒 達 ,  依田 寧雄 ,  西村 克彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230254
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127801
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、2回転写方式の画像形成装置において、転写ムラがなく、また転写効率が高い画像形成装置を提供すること。【解決手段】 本発明は第1の画像担持体上に形成された画像を第2の画像担持体である中間転写体上に形成後、転写材に接触転写手段を用いて転写する画像形成装置において、第一の画像担持体の表面層の誘電率をεd、中間転写体の表面層の誘電率εITD及び2次の接触転写手段の表面層の誘電率をεTrとしたとき、これらがεd≦εITD≦εTrの関係を有し、上記中間転写体の体積抵抗率が106 Ω・cm〜1010Ω・cm(1kV印加時)上記接触転写手段の体積抵抗率が108 Ω・cm〜1015Ω・cm(1kV印加時)であることを特徴とする画像形成装置である。

請求項（抜粋）：

第1の画像担持体上に形成された画像を第2の画像担持体である中間転写体上に形成後、転写材に接触転写手段を用いて転写する画像形成装置において、第一の画像担持体の表面層の誘電率をεd 、中間転写体の表面層の誘電率εITD 及び2次の接触転写手段の表面層の誘電率をεTrとしたとき、これらがεd ≦εITD ≦εTrの関係を有し、上記中間転写体の体積抵抗率が106 Ω・cm〜1010Ω・cm(1kV印加時)上記接触転写手段の体積抵抗率が108 Ω・cm〜1015Ω・cm(1kV印加時)であることを特徴とする画像形成装置。

IPC (5件)：

G03G 15/16 ,  G03G 15/16 103 ,  G03G 5/147 ,  G03G 7/00 ,  G03G 9/08

FI (5件)：

G03G 15/16 ,  G03G 15/16 103 ,  G03G 5/147 ,  G03G 7/00 Z ,  G03G 9/08