特許
J-GLOBAL ID：200903015793422566
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070236
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274642
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系半導体レーザにおける単一縦モード制御及び高次の横モード制御を可能にし、高い単色性と優れたビーム特性を実現し、且つ信頼性の向上をはかる。【解決手段】 サファイア基板10上に、MQW活性層17をp型及びn型のAlGaNクラッド層12,20で挟んだ窒化物系半導体レーザにおいて、活性層17と基板10側のn型クラッド層12との間の領域に、W光吸収層13とSiO2 層14からなる回折格子が形成されている。
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体からなり、活性層を導電型の異なるクラッド層で挟んだ半導体発光素子において、前記活性層とクラッド層の間又は前記クラッド層中のいずれかの領域に少なくとも金属を含む回折格子が形成されてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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