特許

J-GLOBAL ID：200903015795182767

半導体素子搭載用モジュール

発明者： 福島 英子
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168112
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005528
出願日： 2003年06月12日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】熱伝導率、熱膨張係数の異方性が小さく、半導体素子が発する大量の熱を十分に下面側に伝達し、誤動作や熱破壊を起こしたりせず、機密性を十分に保つこと。【解決手段】上面に半導体素子2の載置部を有する基体4aと、載置部を囲んで固定された箱体を具備し、基体4aは、厚み方向の熱伝導率が250W/mK以上、熱膨張係数が0.1ppm/Kより大きく4ppm/Kより小さく、平面方向の熱伝導率が150W/mK以上、熱膨張係数が4ppm/K以上10ppm/K以下の黒鉛と金属からなる複合体を基材とし、基材の周囲に金属層が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子搭載用モジュールにおいて、一方向の熱伝導率が250W/mK以上、熱膨張係数が0.1ppm/K以上、4ppm/K未満、前記一方向と直交する熱伝導率が150W/mK以上、熱膨張係数が4ppm/K以上、10ppm/K以下の黒鉛と金属からなる複合体を放熱基板とし、当該放熱基板の一方向面側あるいは直交面側に半導体素子を搭載することを特徴とする半導体素子搭載用モジュール。

IPC (2件)：

H01L23/373 ,  H01L23/14

FI (2件)：

H01L23/36 M ,  H01L23/14 M

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB21 ,  5F036BC22 ,  5F036BD11