特許

J-GLOBAL ID：200903015797546871

半導体装置の製造装置

発明者： 小山内 歩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080156
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315247
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】シリカフィルムを塗布する前に、半導体基板の中心部を親水性にしてシリカフィルムとの密着性を向上させ、かつ周辺部を疎水性にしてシリカフィルム塗布液の半導体基板側面および裏面への回り込みを防止する。【構成】紫外線光源1から照射した紫外線は絞り2によって一部を遮られ、シリコン基板8上にシリカフィルムと密着性の良い親水性領域と密着性の良くない疎水性領域を作る。

請求項（抜粋）：

半導体基板に紫外線を照射し、次いで回転塗布法によりシリカルィルムを被着する半導体装置の製造装置において、前記半導体基板表面に紫外線を部分的に照射するための絞りを紫外線光路に有することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/30 361 X ,  H01L 21/30 361 F